隨著(zhù)晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復雜，對半導體濕法清洗技術(shù)的要求也越來(lái)越高。
清洗工藝是貫穿整個(gè)半導體制造的重要環(huán)節，是影響半導體器件性能以及良率的重要因素之一。在芯片制造過(guò)程中，任何的沾污都可能影響半導體器件的性能，甚至引起失效。因此，幾乎在芯片制造的每一道工序前后，都需要進(jìn)行清洗工藝，去除表面的污染物，保證晶圓表面的潔凈度，尤其在拋光、刻蝕等工藝后，晶圓表面會(huì )附著(zhù)一些顆粒、金屬、有機物、自然氧化層等雜質(zhì)。
但清洗對象千變萬(wàn)化，可以遇到的材質(zhì)種類(lèi)也非常復雜，我們無(wú)法用一兩種清潔劑滿(mǎn)足所有材質(zhì)的清洗**性，則清潔劑的組分設計以及產(chǎn)品結構，就必須充分考慮不同類(lèi)型的設備所包含材料的材質(zhì)特性，保證清潔劑在正確使用時(shí)，對所清洗對象的材質(zhì)沒(méi)有損傷。
如何控制清洗劑的濃度
清洗劑的濃度與清洗效果有很大的關(guān)系，一般隨著(zhù)濃度的增加，去污能力也相應的增強，但達到一定濃度后，去污能力不再明顯提高。一般濃度控制在3%-5%為宜。
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